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hire / Experte für GaN-Epitaxietechnologie (m/w/d)
Job Description
Was Sie erwartet:
Leitung der Entwicklung von epitaxialen Heterostrukturen im Bereich der III-N-Materialien mit besonderem Fokus auf qualitativ hochwertige GaN-Schichten auf Silizium- und Siliziumkarbid-Substraten durch metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD) oder andere relevante Wachstumsprozesse Definition von Wachstumsrezepten, Durchführung von Prozessläufen, Charakterisierung der gewachsenen Wafer und Analyse der Ergebnisse für die Produktnutzung in den Bereichen RF, Leistungselektronik und Photonik Identifikation von Ursachen und Definition nachhaltiger Korrekturmaßnahmen bei Prozessabweichungen Analyse der Verbindung zwischen den Parametern des epitaxialen Wafers und den relevanten Gerätedaten zur Verbesserung der Leistung und Ausbeute Definition der Messtechnikstrategie und Durchführung der erforderlichen Messungen Zusammenarbeit mit Partnern zur Lieferung der erforderlich...